SiC并購戰：誰是頂級收購者？

得益于電動汽車和可再生能源等市場的強勁需求，近年來化合物半導體市場蓬勃發展。隨著公司競相確立其在行業中的地位，并購活動也在日益增加。

過去幾年，市場的并購交易顯著激增：從 2006 年到 2017 年，每兩年只有一筆交易，但自 2018 年以來，每年都有 6 筆交易，超過了歷史數據。

雖然 SiC 和 GaN 是并購的主要類別，但其中 21 筆交易與 SiC 直接相關。這是因為經過 20 多年的發展，SiC 已經能夠量產以滿足市場需求，尤其是在 SiC 已經成為主流技術的汽車行業。

行業巨頭驅動的垂直整合

Wolfspeed、On Semi、II-VI、ST、Infineon 等歐美行業龍頭近年來開始加速垂直整合，體現在并購頻率上。

美國主導了 12 起并購交易，其中只有四起發生在 2018 年之前，而 Wolfspeed 促成了其中三起。在過去的三年中，On-Semi、II-VI 和 Macom 牽頭進行了幾筆交易，重點是 SiC 的垂直整合以滿足市場需求。

在歐洲，共有 8 筆并購交易，均發生在 2018 年及以后，ST 和英飛凌是主要參與者。兩家公司都通過戰略收購積累技術實力，以保持在 SiC 功率器件市場的領先地位。

在 2019 年和 2020 年，ST 收購了 Norstel AB 以增強其 SiC 晶圓制造能力，并收購了 Exgan 以提高 GaN 功率器件設計專業知識。同樣，英飛凌于 2018 年收購了 Siltectra GMbH，以控制關鍵的 SiC 晶圓冷分割工藝技術，最近還收購了 GaN Systems 以加強其在 GaN 市場的地位。

從案例中可以看出，歐美并購的高頻率主要是由行業龍頭企業帶動，逐漸形成市場格局。

經過很長一段時間成長為龍頭企業的 Wolfspeed，積累了足夠的并購資本，逐步向平臺型企業轉型。受益于 SiC 在新能源汽車以及光伏等領域需求旺盛，Wolfspeed 的功率及射頻業務毛利率水平整體高于照明及 LED 業務，在 FY2020 前保持 48% 左右的毛利率水平，在擴產后毛利率水平下降。FY2020-21 由于疫情影響與產能調整，公司產能利用率下降，毛利率持續下滑。FY22Q4 毛利率為 36.5%，同比增長 4.3%，高于指引中值 36.3%，主要系疫情影響有所減弱，疊加產能效率優化以及新工廠開業等一系列調整。隨 著設備生產從達勒姆向莫霍克谷轉移的加速，預計在未來 8 英寸量產及整體產量 提高后，成本有望下降，毛利水平有望回歸，公司預計 FY2024 產品毛利率從目 前 30% 提升至 50% 水平。

與此同時，Onsemi、ST 和 Infineon 這些傳統上在化合物半導體領域具有成熟專業知識的平臺型公司，現在正在加緊并購活動以擴大市場份額并產生強勁的增長動力。

市場格局持續變化

半導體設備企業間的并購交易也備受關注。近期，ASM 和 Veeco 相繼收購了 LPE 和 Epiluvac，表明設備制造商也意識到了 SiC 市場的巨大潛力，正在加速投資。

TrendForce 最新報告顯示，鑒于技術的快速突破，預計整體 SiC 功率器件市場將以每年 41.4% 的速度增長，到 2023 年將達到 22.8 億美元，到 2026 年將達到 53.3 億美元，年增長率為 35%。

然而，伴隨當前的市場繁榮而來的是一個新的挑戰——供應短缺。盡管 STM 和 Onsemi 等公司努力提高產量，但行業增長的最大障礙之一是 SiC 襯底材料的稀缺。

制造商現在正在尋找內部和外部資源以保持供應暢通。雖然大部分 SiC 襯底供應商都在擴張，但只有像 Wolfspeed 這樣的少數供應商控制著高端汽車主逆變器用 SiC 襯底的制造能力，這加劇了車用 SiC 器件生產的瓶頸。

話雖如此，主要參與者必須迅速解決技術障礙和供應問題，以彌合市場差距。這將不可避免地推動激烈的競爭和行業整合，只有能夠快速適應的企業才能長期蓬勃發展。

襯底制備技術成熟度正在追趕：尺寸方面，國內 SiC 商業化襯底 4 英寸導電和半絕緣襯底已經實現產業化，6 英 寸導電襯底小批量供貨，2022 年上半年，山西爍科晶體和中科院物理所先后宣布 突破 8 英寸 SiC 襯底，國內水平與行業龍頭的差距正不斷縮小。厚度方面，哈爾濱科友宣布其 6 英寸 SiC 導電型晶體厚度達到 32mm，SiC 晶 錠的厚度提升能增加切片得到的襯底片數，降低襯底生產成本。

產品性能方面，目前國際上 8 英寸 SiC 襯底樣品微管密度達到 0.6cm-2，國產 SiC 襯底實現微管密度小于 1 個/cm2，襯底面積 95% 可用，位錯約在 103/cm2；在單晶一致性、成品率方面與國際先進水平仍有差距。但國內 SiC 龍頭企業技術 水平也在不斷提升，例如天岳先進、天科合達已經掌握半絕緣型 SiC 襯底和導電 型 SiC 襯底的生產技術，其產品參數包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范 圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度等已經能夠比肩國際先進水平。