聞達精芯之安，泰然創新于世

安世半導體（Nexperia）是全球半導體行業公認的基礎半導體器件生產專家，持續穩定地大批量生產超越業界質量標準的高效產品。安世半導體連續在2020 和2021 年參加中國國際進口博覽會，借此機會我們特別專訪了安世半導體全球銷售資深副總裁張鵬崗，請他介紹安世如何運用邏輯電路、分立器件和MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）方面的最新技術推動全世界電子設計的發展。

安世半導體全球銷售及營銷資深副總裁兼中國區總經理張鵬崗

生產與研發：全球化與國產化并進

在中國電動汽車市場快速增長和“碳中和”大趨勢下，安世半導體致力為國產汽車半導體保駕護航，與客戶共創美好的未來。早在新冠疫情和全球汽車半導體短缺出現之前，安世半導體就已經制定了大幅擴大產能的全球增長戰略，實施了一系列在國內外擴大研發和產能舉措。

安世在國內擁有完善的生產和研發布局，位于廣東東莞的安世半導體（中國）有限公司早在2000 年就已經投產，擴建的新分立器件封裝和測試工廠在2018 年初正式投產。安世半導體的母公司聞泰科技在2020 年與臨港新片區、臨港集團簽約，投資了中國第一座12英寸車規級功率半導體自動化晶圓制造中心。在全球范圍內，安世在去年收購了英國的Newport 晶圓廠使得在IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）、功率MOSFET 模擬和化合物半導體產品線方面具備前端能力，并宣布擴建在曼徹斯特和漢堡的200 mm 晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠及全球的研發基地。這些擴產和收購舉措顯著提升了安世半導體車規級標準產品的供應能力，擴大了市場份額。

安世半導體的研發投入將從9% 提升到15%，并在全球招聘更多研發工程師。目前強大的研發投入初見成效，更多新產品如IGBT、中高壓MOSFET、Analog（模擬）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN） 等均將在今年和未來幾年逐步量產。特別的，安世半導體于2021年7 月在上海正式成立中國研發中心（China Design Center），為國內電動汽車、工業電子、消費電子及光伏逆變器領域提供定制化及高性能產品。清華大學- 聞泰科技工業與車規半導體芯片聯合研究中心于2022 年1 月7 日正式揭牌，該中心對于發揮雙方優勢，攻關解決車規半導體芯片領域的關鍵核心技術、推動產教融合和行業發展具有重要意義。

今年是安世半導體作為獨立實體進入半導體行業五周年，雖然作為一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年作為飛利浦半導體和恩智浦半導體的一部分，已在半導體制造領域口碑優良、表現強勁，只經過五個春秋的不懈努力就在市場站穩腳跟。安世半導體龐大的產品線和客戶群、持續增加的研發投入、快速增加的晶圓和封測產能將保證公司保持持續增長。

引領全球基礎半導體器件的專家

安世半導體致力于做生產大批量基礎半導體器件的專家，產品廣泛應用于全球各類電子設計，目前約有15 000 種產品，每年新增800 余種新產品。全系列的新產品幫助客戶開發更高性能的產品并支持關鍵應用趨勢。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD（Electro-Static discharge，靜電釋放）保護器件、MOSFET 器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET) 以及模擬IC（集成電路）和邏輯IC，每年可交付1 000 多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

安世半導體的小信號分立器件、功率分立器件、邏輯和模擬集成電路支持電氣化、連接性和數字化、能源效率及工業4.0 和自動化等應用，產品在消費電子、汽車和工業市場份額不斷增長。同時，受益于新增的產能，安世在工業物聯網和自動化、數據中心等基礎設施市場也在迅速增加。開關電源（SMPS）、AC-DC（交流-直流）和DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源（UPS）和光伏逆變器等工業應用也將受益于下一代寬禁帶(WBG) 功率半導體產品。安世半導體正在為工業客戶提供標準產品或汽車級產品（AEC-Q101 和ISO/TS16949 汽車質量標準）之間的選擇，滿足他們所需的越來越多的非汽車應用產品和服務。

作為未來創新技術推動者和中國企業必不可少的首選合作伙伴，安世在汽車、工業（含5G）、移動、計算機和消費電子等多個細分市場中幫助客戶發現新的商業機會，公司也將繼續增加在研發和產能上的投資，大幅擴大產能的來支持全球增長戰略。所擁有強大的全球化分銷網絡，是安世半導體在產業中長盛不衰得保證。

發力高功率器件與第三代半導體

安世半導體正從一家純粹的分立、邏輯和功率MOS 制造商開始向更高功率器件、模擬器件和集成電路領域擴張，并顯著增加市場份額。因此安世逐漸成為眾多全球知名電子品牌的首選供應商，幾乎世界上所有的電子設計都使用安世半導體的器件。

隨著人們的能源節約意識日漸增強，對于具備出色效率和功率密度的高功率應用的需求日益旺盛。而在這方面，硅半導體功率器件將很快達到其材料物理極限。諸如氮化鎵(GaN) 和碳化硅(SiC) 等WBG 產品現在能夠很好地滿足大批量應用的嚴格要求，為OEM 廠商帶來更高的效率和功率密度，降低系統成本和運營成本。安世半導體今年已經正式進軍高功率碳化硅(SiC) 整流器市場，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍，滿足汽車電氣化，5G 通信基礎設施、工業4.0、機器人技術、云計算、數字化和綠色能源等領域的需求。

寬禁帶(WBG) 產品的快速開發和采用使得性能水平達到了幾年前無法想象的高度——可以說，沒有WBG，一些新的項目需求是不能滿足的。WBG 產品被越來越多地運用到項目設計中，效率越來越高，損耗/排放越來越低，整體功率密度不斷提高，在幫助實現“碳中和”的過程中貢獻良多。中國（和全球）電動汽車市場的快速增長促使設計師采用更高功率密度器件的趨勢愈加明顯。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）正廣泛應用于高效率、高功率要求的應用中。

安世半導體一直投資和研發自有氮化鎵工藝技術。通過逐年的經驗積累和技術深入，掌握未來如何以最優方式運用這項技術。目前遍布全球的自有化生產基地可以提供真正車規級AEC-Q101 認證的產品。新一代的安世半導體氮化鎵(HEMTs)，提供業界領先的低導通電阻，更高的開關穩定性，可顯著提升動態性能。

安世半導體不到三年就推出三代650 V 高功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET），提供從2 kW 到250 kW的GaN 應用方案并推向更高的功率水平。在2021 年第四屆中國國際進口博覽會上安世發布了第一款SiC 肖特基二極管產品，使用了高功率氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）的牽引逆變器；和上海電驅動合作開發的牽引逆變器中通過GaN 的應用顯著提高了開關速度和轉換效率，實現高功率密度，縮小逆變器的尺寸、減輕車輛重量，使行駛里程更遠。此外，安世持續續改進主力產品—MOSFET，對于客戶而言使用高效的功率半導體比以往任何時候都重要，安世半導體的產品將為節能降耗做出更多貢獻，推動早日實現“碳中和”的目標。

（本文來源于《電子產品世界》雜志2022年4月期）